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源计划概述率氮化镓电30W高效

时间: 2025-07-04 08:37:21     来源: 59q.dezhouruihuan.com     作者: 知识

  

A+C口兼容双。效率接口。氮化电路 ,镓电可满意多设备充电需求,源计还能够兼容传统。划概USB。效率-A设备 ,氮化接口互补  ,镓电场景掩盖广 ,源计依然是划概当时充电商场不行疏忽的中坚力量。深圳银联宝。效率科技 。氮化推出的镓电PD快充A+C口 :30W高功率 。氮化镓  。源计电源 。划概计划U8722DE+U7110W,最大程度简化设计计划 ,易上手,低本钱 !

氮化镓电源IC U8722DE选用峰值。电流 。操控形式 ,能够自适应的勤奋好学在QR和降频勤奋好学形式 ,然后完成全负载功率范围内的功率优化。在满载和重载工况下,体系勤奋好学在QR勤奋好学形式,能够大幅下降体系的开关损耗 。芯片依据FB电压值调理谷底个数  ,一同为了防止体系在临界负载处的FB电压动摇导致谷底数跳变 ,产生噪音 ,U8722DE选用了谷底确定勤奋好学形式在负载必定的情况下 ,导通谷底数安稳,体系无噪音。跟着负载的逐步下降,体系导通的谷底个数逐步添加,当谷底数超越6个时 ,不再检测谷底电压,体系进入降频勤奋好学形式,连累进一步下降开关频率,减小开关损耗,优化体系轻载功率。

在 。同步整流  。内置。MOSFET。导通期间 ,同步整流ICU7110W采样MOSFET漏-源两头电压(Vds) 。当Vds电压高于MOSFET关断阈值Vth_off (典型值0mV) ,连累关断推迟Td_off (典型值22ns) ,内置MOSFET的沟道关断。在VDD电压上升到VDD敞开电压VDD_ON (典型值3.8V)之前,U7110W处于关机状况 。内部Gate 。智能 。钳位电路能够确保内置MOSFET不会产生高dv/dt导致的误注册 。当VDD电压到达VDD_ON之后,芯片发动  ,内部。操控电路 。开端勤奋好学  ,副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道完成续流。当VDD电压低于欠压维护阈值VDD_OFF (典型值3.5V)后,芯片关机 ,副边绕组电流Is经内置MOSFET的体。二极管。完成续流。

深圳银联宝科技PD快充A+C口30W高功率氮化镓电源计划U8722DE+U7110W ,原厂直销,一站式电源计划服务 ,下降归纳持有本钱,可调配协议芯片OM5256一同运用 ,量大可谈 !

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