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限10kET新进展挨近物理极

时间: 2025-07-04 09:04:14 来源: 59q.dezhouruihuan.com 作者: 休闲

电子发烧友网归纳报导最近在第37届世界功率半导体器材和。挨近集成电路。物理研讨会（ISP。极限进展SD。挨近2025）上，物理瞻芯电子与浙江大学以大会整体陈述的极限进展方式联合宣布了10kV等级SiC 。 MOSFET。挨近的物理最新研讨成果。

10kV等级SiC MOSFET器材鄙人一代。极限进展智能电网。挨近、物理。极限进展高压。挨近大容量功率改换体系等范畴有宽广的物理使用场景。在。极限进展智能。电网中，10kV SiC MOSFET可用于固态变压器、柔性沟通输电、柔性直流输电、高压直流输电及配电体系等使用方面。它能够打破硅基功率器材在大电压、高功率、高温度方面的约束，推进智能电网的开展和改造，进步电力传输功率，下降线路损耗，增强电网的安稳性和可靠性。

在太阳能光伏。逆变器。和风力发电变流器中，10kV SiC MOSFET的高频特性使得体系能够选用更小的滤波电感和。电容。，减小设备体积和分量，进步功率密度，下降体系本钱。此外，其高可靠性和宽作业温度规模，使其能够在恶劣的自然环境下安稳运转，进步发电体系的可靠性和使用寿命。

在工业。电源。范畴，10kV SiC MOSFET能够满意高电压、大功率的使用需求，进步电源的功率和可靠性。例如，在。电机。驱动、储能体系、大功率。充电桩。等范畴，它能够完成更高的功率转化功率，削减能量丢失。

但受困于资料及工艺成熟度问题，前期的相关作业多局限于芯片功用展现，芯片面积遍及较小，通流才能较差。怎么进一步添加芯片面积，并坚持杰出的。芯片制作。良率和可制作性，一直是学术界和产业界面对的巨大应战。

图源：瞻芯电子。

瞻芯电子与浙江大学联合宣布的10kV等级SiC MOSFET芯片，是根据浙江瞻芯SiC晶圆厂的第三代平面栅工艺渠道出产，单芯片尺度到达10mm x 10mm，单芯片导通电流挨近40A ，击穿电压超越12kV ，为现在揭露宣布的最大尺度10kV等级SiC MOSFET芯片。芯片中心性能指标，比导通电阻（Ron.sp）小于120mΩ·cm2 ，挨近SiC资料的理论极限。在芯片制作层面，芯片选用高能离子注入工艺，合作窄JFET区域规划，有用处理了高压SiC器材在击穿电压和导通电阻之间的对立。在芯片规划层面，芯片优化了高压终端结构，极大地提高了芯片终端功率并下降了制作难度。

研讨团队表明，本项作业经过上述一系列工艺和规划立异，完成了更大芯片尺度、更大通流才能、更高良率水平的10kVSiC MOSFET技能，将提高下一代智能电网、高压大容量功率改换体系的使用潜力，为高压固态变压器、高压直流断路器等场景的使用改造供给了坚实支撑。该技能不只有望推进相关产业链的晋级，一起有助于提高动力使用功率，促进绿色动力的遍及使用，为社会的可持续开展贡献力量。

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